Применение моноклинных кристаллов KY((WO)4)2 или KGd((WO)4)2, использование более эффективной квазисдвиговой акустической волны в этих кристаллах вместо квазиспродольной, выборе оптимальной ориентации призмы акустооптического затвора относительно кристаллографических осей.
Изобретение основано на акустооптическим взаимодействии света и ультразвука в кристаллах, которое является наиболее перспективным методом для создания модуляторов добротности (лазерных затворов). Лазерный затвор размещается в резонаторе мощного твердотельного лазера и в закрытом состоянии подавляет его излучение, позволяя энергии накапливаться в резонаторе. При открытии затвора лазер излучает гигантский импульс наносекундной длительности. Акустооптический затвор состоит из монокристаллической призмы, определенным образом ориентированной относительно кристаллографических осей и системы возбуждения высокочастотного ультразвука в призме – пьезоэлектрического преобразователя. Когда на пьезопреобразователь подается высокочастотный электрический сигнал, в кристалле возбуждается ультразвуковая волна. Оптическое излучение рассеивается на этой волне (затвор закрыт), и генерация в лазере срывается. В момент выключения электрического сигнала ультразвуковая волна исчезает, исчезает рассеяние оптического излучения (затвор открывается) и происходит генерация лазерного импульса. Традиционные затворы для мощных лазеров изготавливаются из кристалла кварца и не могут быть использованы в лазерах среднего инфракрасного диапазона длин волн из-за чрезвычайно высокой потребляемой мощности электрического сигнала. Сущностью изобретения является применение новых акустооптических кристаллов более низкой симметрии, что позволяет в разы понизить потребляемую электрическую мощность и использовать затвор в лазерах на длинах волн 3-5 мкм, где применение традиционных затворов невозможно из-за перегрева.
Применение моноклинных кристаллов KY((WO)4)2 или KGd((WO)4)2, использование более эффективной квазисдвиговой акустической волны в этих кристаллах вместо квазиспродольной, выборе оптимальной ориентации призмы относительно кристаллографических осей.
